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國立中央大學光電科學研究中心            :::

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  1. 首頁
  2. 儀器設備
  3. 微光電實驗室機台介紹

微光電實驗室 ── 機台介紹：蝕刻類機台

Unaxis HDP

  • 儀Unaxis HDP器中文名稱：高密度電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號：Unaxis / Nextral 860L
  • 設備規格：
    1. Plasma generator：
      2000 W 2.45 GHz HF generator for HDP mode
      300 W 13.56 MHz RF generator for RIE mode
    2. Gas：
      Cl2      、BCl3、SiCl4、SF6、CH4、H2、Ar、O2、He、N2
    3. Real time access to numerous etching modes：
      RIE      、HDP、RIE+HDP
    4. Etching depth：
      End-Point Detector monitoring
    5. Wafer Size： Max. 8inch
  • 儀器功用：化合物半導體乾性蝕刻
  • 財產編號：3070114-003-0002
  • 購置日期：2002年4月
  • 廠商：百瑟

 

SENTECH ICP

  • 儀SENTECH ICP器中文名稱：電感耦合電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號：SENTECH SI 500
  • 設備規格：
    1. Power：
      ICP source power ≦ 1200W
      RF power (substrate) ≦ 600W
    2. Substrate heating:20℃~200℃
    3. Operating pressure：< 10mtorr
    4. Four gas line：BCl3、Cl2、O2、Ar
    5. Etch material：GaN、InP、Sapphire
    6. Wafer size：4inch
  • 儀器功用：乾蝕刻
  • 財產編號：3070114-003-00377
  • 購置日期：2006年12月
  • 廠商：佳霖

 

RIE

  • 儀RIE器中文名稱：活性離子電漿蝕刻系統
  • 儀器廠牌及型號：Advance Vacuum /Vision 320
  • 設備規格：
    1. RF Power：600W/13.56MHZ/auto-matching
    2. Wafer size：270 mm (max.) & pieces
    3. Operating pressure：< 100 mTorr
    4. Process gas：
      H2、CF4、CHF3、SF6 、Ar 、O2
    5. Etching material：
      Si 、SiO2、Si3N4 、PR 、BCB
    6. Etching mask：PR、SiO2、Si3N4
    7. Etching Rate：
      Si (20 nm/min.)、SiO2 (30 nm/min.)、Si3N4 (60 nm/min.) 、PR (40 nm/min.)
  • 儀器功用：矽基材料及光阻之電漿乾蝕刻製程
  • 財產編號：300114-003-379
  • 購置日期：2012年10月
  • 廠商：微士貿易有限公司

 

微光電實驗室 ── 機台介紹：沉積類機台

BMR CVD

  • 儀BMR CVD器中文名稱：感應式耦合電漿化學氣象沉積
  • 儀器廠牌及型號：BMR-FP2319R2
  • 設備規格：
    1. Power supply：600W (CW) and 13.56MHz operation frequency
    2. Substrate heating：0℃~380℃
    3. Gas Cabinet：Ar、O2、SiH4、NH3、CF4
    4. Turbomolecular Pump：Over 40 liter/sec
    5. Mechanical Pump：Over 25cfm dry pump
    6. Electrical Power：AC 220V、45 Amper、3 phase、60Hz
  • 儀器功用：低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積
  • 財產編號：3013208-17-00001
  • 購置日期：2006年12月
  • 廠商：帆宣

 

SAMCO PECVD

  • 儀SAMCO PECVD器中文名稱：電漿輔助化學氣相沉積系統
  • 儀器廠牌及型號：SAMCO PD-220N
  • 設備規格：
    1. RF Power：
      300W /13.56 MHz / auto-matching
    2. Operating pressure：< 700 mTorr
    3. Substrate Heating：
      Up to 350℃ ±3℃@ ≧ 6”
    4. Wafer Size：8” (max.) & pieces
    5. Process Gas：SiH4(10%)、N2、NH3、TEOS、N2O、CF4、O2
    6. Deposition Films：SiO2、TEOS-SiO2 、Si3N4
    7. Deposition Rate：SiO2 (≧ 50 nm/min.) 、
      TEOS-SiO2 (≧ 50 nm/min.) 、Si3N4 (≧ 30 nm/min.)
  • 儀器功用：光電元件蝕刻阻擋層或鈍化層介質薄膜沉積製程
  • 財產編號：3100103-586-243
  • 購置日期：2013年12月
  • 廠商：日商莎姆克

 

微光電實驗室 ── 機台介紹：蒸鍍類機台

Sputter

  • 儀Sputter器中文名稱：離子濺鍍機
  • 儀器廠牌及型號：HELIX
  • 設備規格：
    1. Vacuum performance：5*10-5 torr (15min)
    2. Magnetron sputter cathode：4inch sputter source (2 set)
    3. RF power supply：1 KW
    4. DC power supply：3 KW
    5. Target：Si、W、SiO2、AlN、Si3N4、Al、ITO、IZO
  • 儀器功用：濺鍍金屬及介質薄膜
  • 財產編號：3100102-14-8
  • 購置日期：2000年11月
  • 廠商：和立聯和
  • 改機日期：2011年3月
  • 廠商：東銳

 

E-gun

  • 儀E-gun器中文名稱：電子槍蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號：ULVAC EVA-E500
  • 設備規格：
    1. Power supply：max. 300 W
    2. Substrate heating：0℃~300℃
    3. Working pressure：5*10-6 torr (20min)
    4. Metal source：Au、Al、Ni、Ti、Pt 、GeAu
  • 儀器功用：蒸鍍金屬薄膜
  • 財產編號：3100102-14-0010
  • 購置日期：2001年3月
  • 廠商：台灣日真

 

E-gun/Thermal

  • 儀E-gun/Thermal器中文名稱：高真空電子束暨熱阻式蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號：ULVAC
  • 設備規格：
    1. Power supply：
      10 KW (e-gun), 5 KW (thermal)
    2. Substrate heating：0℃~300℃
    3. Operating pressure：2*10-6 torr (20min)
    4. Crucible holder can be put four crucibles
    5. metal source：
      Al、Ni、Ti、Pt、Au、Pd
  • 儀器功用：高品質金屬薄膜蒸鍍
  • 財產編號：3100102-14-13
  • 購置日期：2002年12月
  • 廠商：優貝克

 

Thermal Coater

  • 儀Thermal Coater器中文名稱：高真空熱阻式蒸鍍系統
  • 儀器廠牌及型號：I Shien SPS-302
  • 設備規格：
    1. Power supply：max. 7.7 KW
    2. Working pressure：5*10-5 torr (20min)
    3. Wafer size：4inch
    4. Metal source：Au、Al、Ni、Ti、Cr
  • 儀器功用：蒸鍍金屬薄膜
  • 財產編號：3100102-14-163
  • 購置日期：2009年2月
  • 廠商：乙先

 

 

微光電實驗室 ── 機台介紹：退火類機台

Furnace

  • 儀Furnace器中文名稱：高溫擴散退火爐
  • 儀器廠牌及型號：海邦科技
  • 設備規格：
    1. Tube (X3)：
      temperature range： 400℃~1200℃
      heating zone Length： 250 mm (1200±1℃)
      stability of internal furnace： 1200±1℃
    2. Gas of diffusion：
      N2（flow-meter/0~10 SLM）
      O2（MFC/0~10 SLM）
    3. Gas of annealing：
      N2（flow-meter/0~10 SLM）
      Forming Gas（MFC/0~100 SCCM）
  • 儀器功用：擴散退火
  • 財產編號：3100403-08-26
  • 購置日期：2002年6月
  • 廠商：海邦

 

ARTs-RTA

  • 儀ARTs-RTA器中文名稱：快速退火爐
  • 儀器廠牌及型號：Premtek / ARTs 150
  • 設備規格：
    1. Chamber diameter：4 inch
    2. Cooing water：6 SLM, 30℃ max
    3. Compressed Air：5~6 kgf/cm2
    4. Temperature range：200℃~1200℃
    5. Heating rate max.：150 ℃/s
  • 儀器功用：介質薄膜沉積(SiO2、Si3N4)
  • 財產編號：3070114-003-0002
  • 購置日期：2002年4月
  • 廠商：百瑟

 

LPT-RTA

  • 儀LPT-RTA器中文名稱：快速退火爐
  • 儀器廠牌及型號：LPT/ TM 100-BT
  • 設備規格：
    1. Chamber Diameter：8 “ (max.)
    2. Chamber Water Cooling：
      20 SLM @6 bar, 30℃ max.
    3. Cooling Air：5~6 kgf/cm2
    4. Temperature range：200℃~1000℃ ±2℃
    5. Heating rate：100 ℃/s (max.)
    6. Wafer size：4” (max.) & pieces
  • 儀器功用：離子佈植活化及材料熱退火處理
  • 財產編號：3100401-33-146
  • 購置日期：
  • 廠商：

 

微光電實驗室 ── 機台介紹：量測機台

E-Beam Writer (II)

  • E-Beam Writer (II)儀器中文名稱：電子束微影設備
  • 儀器廠牌及型號：Raith / RAITH150-TWO
  • 設備規格：
    1. Acceleration voltage：100 eV~30 KeV
    2. Probecurrent range：5 pA~20 nA
    3. Beam resolution：4 nm (30 keV)
    4. Current stability：≦ 0.5% / 8 hours
    5. Sample handling：full 4inch mask and wafer capability
  • 儀器功用：電子束微影直寫奈米結構元件
  • 財產編號：3100508-088-225
  • 購置日期：2008年10月
  • 廠商：技鼎

 

FE-SEM

  • FE-SEM儀器中文名稱：場發射掃描式電子顯微鏡
  • 儀器廠牌及型號：HITACHI S-4300
  • 設備規格：
    1. Magnification：20x~250,000x
    2. Electron gun：Cold-cathode field
      emission electron gun
    3. Accelerating voltage：0.5 to 30 kV
    4. Specimen Stage
      X movement：0 to 100mm
      Y movement：0 to 50mm
      Z movement：0 to 35mm
      Tilt：-5°to 60°
      Rotation：360°
      Specimen size：Max.102mm
  • 儀器功用：奈微米元件輪廓測量
  • 財產編號：3100708-126-5
  • 購置日期：2001年6月
  • 廠商：益弘

 

Mask Aligner (Q)

  • Mask Aligner (Q)儀器中文名稱：光罩對準曝光機
  • 儀器廠牌及型號：Quintel / Q4000-6IR
  • 設備規格：
    1. Mask size capability：5 inch
    2. Chuck X-Y Range：+/-6 mm
    3. Chuck rotation range：+/-7 degree
    4. Mask/Wafer Separation：0~180 μm
    5. Resolution：1μm
  • 儀器功用：各種元件微影製程之對準曝光
  • 財產編號：3100708-103-1
  • 購置日期：2001年10月
  • 廠商：晶友

 

UV-Ozone Stripper

  • UV-Ozone Stripper儀器中文名稱：紫外光臭氧清洗機
  • 儀器廠牌及型號：SAMCO / UV-1
  • 設備規格：
    1. Sample stage：Aluminum, 200 mm (7.8”) diameter
    2. Maximum substrate size：150 mm (6”) diameter
    3. Substrate temperature control：controllable from
      ambient to 300℃(570℉) ±1℃
    4. UV light source：110 W low pressure mercury discharge tube
    5. Timer：digital readout, auto shut off
  • 儀器功用：微影製程殘存物之去除與清潔
  • 財產編號：3101103-141-36
  • 購置日期：2002年6月
  • 廠商：日商莎姆克

 

Mask Aligner (MA6)

  • Mask Aligner (MA6)儀器中文名稱：光罩對準曝光機
  • 儀器廠牌及型號：SUSS / MA6
  • 設備規格：
    1. Mask & Wafer Size：5/7 inch；150 mm (max.) & pieces
    2. Exposure Mode：soft, hard, low vacuum, vacuum
    3. Exposure Source & Resolution：Hg lamp (350 W)；
      down to 0.8 μm
    4. Alignment Methods：TSA & BSA
    5. Alignment Stage (X-Y-ϴ Range)：X: +/-10 mm；
       Y: +/-5 mm ； ϴ: +/-5。
  • 儀器功用：各式光電元件之對準微影製程
  • 財產編號：3100708-103-304
  • 購置日期：2012年12月
  • 廠商：休斯微

 

Alpha Step® Profiler

  • Alpha Step® Profiler儀器中文名稱：表面輪廓儀
  • 儀器廠牌及型號：KLA Tencor D 300
  • 設備規格：
    1. Stylus forces：0.5 mg~15 mg
    2. Sample stage diameter：140mm(max.)
    3. Stage motion range：X-80；Y-20 mm(max.)
    4. Scan Length：30 mm (max.)
    5. Vertical range：1000 μm (max.)
    6. Vertical resolution：0.4 Å@1 μm
    7. Scan speed ：10 ~ 400 μm/sec.
    8. Sampling Rate: 5~2000 Hz
    9. View Range:≧ 3760 x 3120 μm
  • 儀器功用：膜層厚度及表面輪廓量測
  • 財產編號：3100605-49-00165
  • 購置日期：2017年12月
  • 廠商：辛耘企業

 

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儀器設備

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